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碳化硅具有高機(jī)械強(qiáng)度、化學(xué)穩(wěn)定、耐一腐蝕等性能，是一種非常重要的基礎(chǔ)材料。而超細(xì)粉體在集成系統(tǒng)、電子技術(shù)、光子技術(shù)、精密儀器、國防工業(yè)和機(jī)械工業(yè)等多種領(lǐng)域里廣泛應(yīng)用。在這些應(yīng)用中粉末的純度直接影響最終產(chǎn)品的質(zhì)量，而粉末表面各種微量雜質(zhì)元素的量直接決定著粉末純度，因此建立碳化硅粉表面各種微量雜質(zhì)元素量的檢測方法是很必要的。
2019年9月1日起，高純碳化硅微量元素的測定啟用新國標(biāo)（GB/T37254-2018）。
高純碳化硅微量元素的測定（GB/T37254-2018）規(guī)定了采用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜（ICP-OES）法和電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）法測定高純碳化硅中微量元素含量的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于碳化硅質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量大于或等于99.9%的高純碳化硅材料中鋁、砷、鈣、鉻、銅、鐵、汞、鉀、鎂、錳、鈉、鎳、鉛、硫、鈦、鋅等16種元素的測定。各元素的測定范圍見表1（以質(zhì)量分?jǐn)?shù)計）。
表1：高純碳化硅微量元素的測定（GB/T37254-2018）
附陶瓷行業(yè)其他標(biāo)準(zhǔn)的實施情況
