電子氣體是市場規(guī)模僅次于襯底材料的第二大半導體制造用材料，占芯片制造材料成本的20%左右，包括大宗電子氣體、離子注入氣體、薄膜沉積氣體[包括化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition， CVD）、原子層沉積（Atomic Layer Deposition， ALD）氣體和前驅體]、刻蝕/清洗氣體、激光氣體等，產(chǎn)品品種繁多，在半導體制造中被廣泛應用于薄膜、刻蝕、摻雜、氣相沉積、擴散等涉及晶圓制造的主要工藝環(huán)節(jié)。其產(chǎn)品品質直接關系到器件的性能和產(chǎn)品成品率。通常，電子氣體的雜質含量要求控制在10-6~10-9數(shù)量級，對其中的有害雜質更是有嚴格的規(guī)定。電子氣體是影響芯片制造和器件性能的核心材料。
大宗電子氣體
大宗電子氣體包括氮氣（N2）、氫氣（H2）、氬氣（Ar）、氦氣（He）、氧氣（O2）、二氧化碳（CO2）等。其中，氮氣（N2）主要供給氣動設備作為氣源或供給吹凈、稀釋、惰性氣體環(huán)境及化學品輸送裝置作為壓力來源；氫氣（H2）供給爐管設備并燃燒造成濕氧環(huán)境及作為相關還原反應的還原劑；氬氣（Ar）供給濺射工藝作為離子濺射熱傳導介質、進行腔體稀釋及營造惰性氣體環(huán)境；氦氣（He）用作化學品輸送壓力介質及晶圓冷卻，以及高真空、高密封設備的檢漏；氧氣（O2）供給刻蝕、CVD工藝和爐管設備作為氧化劑及用來產(chǎn)生O3等。
離子注入氣體
離子注入氣體顧名思義是離子注入工藝用氣體。通過離子注入形成摻雜是半導體器件制作的基礎。通常，摻雜工藝包括摻磷、摻硼、摻砷。采用的氣體主要是磷烷（PH3）、三氟化硼（BF3）和砷烷（AsH3）。該三類氣體均是劇毒氣體，必須采用安全的負壓包裝技術，即離子注入安全氣體源（Safe Delivery Source，SDS），通過特殊工藝從根本上消除高危氣體泄漏的可能性。此外，四氟化硅（SiF4）、四氟化鍺（GeF4）用于摻雜工藝前的預非晶化處理，作為摻雜工藝的輔助氣體。
薄膜沉積氣體
薄膜沉積氣體主要包括CVD/ALD氣體和前驅體，借助CVD或ALD工藝在基體表面上發(fā)生化學反應，生成固態(tài)薄膜材料。依據(jù)成膜種類的不同使用不同的CVD氣體和前驅體。
點擊放大丨半導體制造常用CVD氣體
點擊放大丨先進半導體制造常用前驅體
刻蝕/清洗氣體
刻蝕就是把基片上無光刻膠掩蔽的表面，如二氧化硅膜、金屬膜等刻蝕掉，使有光刻膠掩蔽的區(qū)域保存下來，在基片表面上形成所需要的成像圖形。干法刻蝕由于刻蝕方向性強、工藝控制精確、方便、無脫膠現(xiàn)象、無基片損傷和玷污，在集成電路工藝中的應用日益廣泛。干法刻蝕所用氣體稱刻蝕氣體?？涛g氣體的另一種用途就是用來清洗CVD腔室，清除生長在腔壁上的沉積物。
點擊放大丨半導體制造常用刻蝕/清洗氣體
激光氣體
激光氣體用于光刻機激光光源，是以氟（F2）、氬（Ar）、氪（Kr）、氖（Ne）、氙（Xe）、氦（He）等為主的混合氣體。半導體制造行業(yè)除了對激光氣體的安全性有很高的要求外，對激光氣體的純度、濃度比例的精確度要求極高。激光氣體的使用量較小，但重要性很大。
