國(guó)內(nèi)首個(gè)自主開(kāi)發(fā)180nm成套硅光工藝PDK在重慶發(fā)布
5月28-30日，第二屆中歐國(guó)際硅光技術(shù)研討會(huì)在重慶成功召開(kāi)。備受期待的聯(lián)合微電子中心有限責(zé)任公司（CUMEC公司）180nm成套硅光工藝PDK（process design kit）發(fā)布會(huì)也于今（30）日成功舉辦。
這標(biāo)志著CUMEC公司具備硅基光電子領(lǐng)域全流程自主工藝制造能力，開(kāi)始向全球提供硅光芯片流片服務(wù)和EPDA設(shè)計(jì)服務(wù)。
發(fā)布會(huì)上，CUMEC公司執(zhí)行董事兼總經(jīng)理韓建忠博士在現(xiàn)場(chǎng)致辭中表示，CUMEC公司將始終堅(jiān)持開(kāi)放合作的發(fā)展理念，穩(wěn)步實(shí)現(xiàn)國(guó)際一流的高端特色工藝平臺(tái)建設(shè)目標(biāo)，與同行專家學(xué)者海內(nèi)外朋友一道，共同為硅基光電子技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的發(fā)展貢獻(xiàn)智慧和力量。
近幾年，硅光芯片被廣為提及，是世界各大國(guó)搶先布局的重點(diǎn)，被認(rèn)為是芯片領(lǐng)域“換道超車”的核心技術(shù)。
5G時(shí)代，數(shù)據(jù)傳輸需求越來(lái)越高，傳統(tǒng)的電芯片在信號(hào)傳輸模式上遇到了帶寬、功耗、延時(shí)等一系列瓶頸問(wèn)題。將光引入芯片，可以提高傳輸性能實(shí)現(xiàn)帶寬100倍以上的增長(zhǎng)，同時(shí)功耗和尺寸還有大幅度的降低。
硅基光電子芯片技術(shù)，則是將光的極高帶寬、超快速率和高抗干擾特性，以及微電子技術(shù)在大規(guī)模集成、低成本等方面的優(yōu)勢(shì)進(jìn)行結(jié)合，形成一個(gè)完整的具有綜合功能的新型大規(guī)模光電集成芯片。
這種芯片適用于5G、數(shù)據(jù)中心、無(wú)人駕駛、人工智能等領(lǐng)域。因此，在重慶的大數(shù)據(jù)智能化發(fā)展中，硅基光電子芯片極具想象空間。
歐洲硅光聯(lián)盟主席、比利時(shí)根特大學(xué)教授、imec高級(jí)研究員Roel Baets從比利時(shí)發(fā)來(lái)線上致辭，他表示，硅基光電子技術(shù)作為一項(xiàng)新興技術(shù)正在快速發(fā)展，產(chǎn)業(yè)化速度亦在不斷加快，CUMEC公司發(fā)布的180nm成套硅光工藝PDK令人振奮，相比集成電路工業(yè)無(wú)比成熟的PDK，硅基光電子領(lǐng)域的PDK雖然已經(jīng)出現(xiàn)了幾個(gè)，但是還很單薄，還在發(fā)展的早期，CUMEC公司發(fā)布的PDK是硅光領(lǐng)域的一大進(jìn)步。
科普：
硅基光電子學(xué)是探討微米/納米級(jí)光子、電子、及光電子器件的新穎工作原理，并使用與硅基集成電路技術(shù)兼容的技術(shù)和方法，單片或混合集成在同一硅襯底上的一門科學(xué)。
硅基光電子學(xué)擬解決的關(guān)鍵問(wèn)題包括: 微納米范圍之內(nèi)的光電相互作用及影響，微納范圍內(nèi)光-光，光-熱、光-機(jī)，光-磁，光-生化等的傳感行為，微納光電器件的計(jì)算機(jī)模擬，微納光電器件的耦合，微納傳感器件的集成，微弱信號(hào)的探測(cè)與放大，微納薄膜技術(shù)，電子束光刻，納米壓印技術(shù)，聚焦離子束加工，高精度等離子體工藝等。
硅基光電子學(xué)目前最迫切的需求來(lái)源于高速度，大容量，低成本的計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)，寬帶通信網(wǎng)絡(luò)，物聯(lián)傳感網(wǎng)絡(luò)，以及大數(shù)據(jù)中心。